ホスホン酸ジエステル誘導体およびその製造方法

開放特許情報番号
L2009003284
開放特許情報登録日
2009/5/15
最新更新日
2012/11/28

基本情報

出願番号 特願2007-549163
出願日 2006/11/30
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 WO2007/066705
公開日 2007/6/14
登録番号 特許第5082102号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 ホスホン酸ジエステル誘導体およびその製造方法
技術分野 化学・薬品、食品・バイオ
機能 材料・素材の製造
適用製品 ホスホン酸ジエステル誘導体
目的 新規なホスホン酸ジエステル誘導体およびその製造方法及び、生体内の酵素の中でもGGT(7−グルタミルトランスペプチターゼ)に選択的に作用し、GGTを不可逆的に失活させる阻害活性をもったホスホン酸ジエステル誘導体およびその製造方法を提供する。
効果 このホスホン酸ジエステル誘導体は、生体内の酵素の中でもGGTを選択的に不活性化し、かつGGTを不可逆的に失活させることができる。
技術概要
式1で示すホスホン酸ジエステル誘導体である。式中、R↑1、R↑2は、式2〜式6を表す。式中、R↑3が置換基を有していてもよいアリール基等であり、R↑4〜R↑9は、水素原子、アルキル基等、電子吸引基から選ぶ置換基であり、R↑4〜R↑8の置換基のうち隣接する2つの置換基が互いに結合して環を形成してもよい。式7で示す、2−置換アミノー4−ホスホノブタン酸の金属塩である。式中、Mはアルカリ金属、R↑1↑7は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基を含むアルコシキカルボニル基を表す。式8で示す、2−置換アミノー4−ホスホノブタン酸エステルである。式中、R↑1↑8が置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表す。式1で示すホスホン酸ジエステル誘導体を2−アミノー4−ホスホノプタン酸から製造する過程において、式7で示す2−置換アミノー4−ホスホノブタン酸の金属塩を結晶として単離するホスホン酸ジエステル誘導体の製造方法である。
実施実績 【有】   
許諾実績 【有】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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