| 出願番号 |
特願2007-516201 |
| 出願日 |
2005/11/18 |
| 出願人 |
国立大学法人京都大学 |
| 公開番号 |
WO2006/123447 |
| 公開日 |
2006/11/23 |
| 登録番号 |
特許第4945763号 |
| 特許権者 |
国立大学法人京都大学 |
| 発明の名称 |
電子ビーム露光装置 |
| 技術分野 |
無機材料 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
ＬＳＩなどの半導体素子の微細加工をする電子ビーム露光装置 |
| 目的 |
二次元の描画パターンの形成を、二次元一括露光によって迅速に実現できて上記形成を低コスト化できる、電子ビーム露光装置を提供する |
| 効果 |
電子ビームによる高精細な描画パターンを形成させる事ができる。 |
技術概要
 |
電子ビーム露光装置を備えた半導体製造装置を、内部での真空状態を維持できる箱状の真空チェンバー１の真空度を１０↑−↑６Ｔｏｒｒ以下とさせ、好ましくは、１０↑−↑８Ｔｏｒｒに設定する。電子ビーム露光装置は、真空チェンバー１内の頂部近傍で半導体素子の回路パターンに応じた二次元の光パターン１３を発生するためのプロジェクター８を設置し、入射された光パターン１３に基づく電子ビームアレイを生成させる。更に、その電子ビームアレイを数千〜数千万倍までに増幅し、増幅電子ビームアレイ１４として出射するためのマイクロチャネルプレート１１と、増幅電子ビームアレイ１４を集束するための電子ビームレンズ部１２とを有する。電子ビーム露光装置は、電子ビームによる露光によって、より微細加工されて性能が向上した半導体素子を製造する事ができ、又、露光を二次元パターンによる一括露光できるから、その製造を低コスト化する事ができる。 |
| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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