電力変換器の主回路構造

開放特許情報番号
L2009003222
開放特許情報登録日
2009/5/15
最新更新日
2009/5/15

基本情報

出願番号 特願平11-079154
出願日 1999/3/24
出願人 株式会社日立製作所
公開番号 特開2000-278934
公開日 2000/10/6
登録番号 特許第3834764号
特許権者 株式会社日立製作所
発明の名称 電力変換器の主回路構造
技術分野 電気・電子
機能 加熱・冷却
適用製品 電力変換器
目的 本発明の目的は、電力変換器内のゲート回路の温度上昇を防ぎ、その誤動作や寿命が短くなるなどの問題を解決することにある。
効果 本発明によれば、ゲート回路を電力変換器内下部に配置することにより、特別な部品追加なく、部品相互間の温度上昇の影響を防止でき、特に従来のものよりもゲート回路の温度上昇を防ぐことができ、ゲート回路の誤動作や寿命が短くなるなどの問題を解決することができる。これにより、ゲート回路単体だけでなく電力変換器全体としての信頼性も向上することができる上、コスト低減が可能となる。
技術概要
 
本発明は、少なくとも2個の半導体素子1,2と、その一方の半導体素子1のコレクタ端子と直流電源の正極を接続する正側導体3と、その他方の半導体素子2のエミッタ端子と直流電源の負極を接続する負側導体5と、その一方の半導体素子1のエミッタ端子およびその他方の半導体素子2のコレクタ端子を交流側に接続する交流側導体4と、前記導体を固定する固定具と、フィルタコンデンサと、フィルタコンデンサと正側導体を接続する正側フィルタコンデンサ接続導体14と、フィルタコンデンサと負側導体を接続する負側フィルタコンデンサ接続導体15と、半導体素子を駆動するゲート回路からなる電力変換器において、前記ゲート回路を電力変換器下部に配置する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】
実施権条件 特許通常実施権の許諾(非独占)

登録者情報

登録者名称 株式会社日立製作所

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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