多結晶材料から単結晶を成長させる方法

開放特許情報番号
L2009002972
開放特許情報登録日
2009/5/8
最新更新日
2015/9/28

基本情報

出願番号 特願2008-325283
出願日 2008/12/22
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-143811
公開日 2010/7/1
登録番号 特許第5142287号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 多結晶材料から単結晶を成長させる方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 磁気ヘッド、光学素子、光学材料、圧電素子、シンチレータ、MEMS、デバイス用基板
目的 多結晶材料から容易に単結晶が育成できるとともに、単結晶製造のコストを下げて、単結晶の利用範囲を広げることが可能な技術の提供。
効果 本技術によれば、多結晶材料から容易に単結晶が育成できるとともに、単結晶製造のコストを低下させて、単結晶の利用範囲を広げることが可能な単結晶の成長方法を提供することができる。
技術概要
この技術では、一般的な原料と焼成過程により得られる棒状の多結晶焼結体を装置の上軸から吊るし、または装置の下軸に固定する。そして、焼結体の外側から、焼結体の軸方向には凸(山形)に急激に温度勾配がつくように、また焼結体の径方向には均等に加熱されるように、光加熱源により焼結体を加熱する。そして、半溶融状態の液相が出現するまで加熱源のパワーを増加してゆくと焼結体の縮径が生じ、光沢が増し、表面に気泡の発生等が観察されるので、これらの現象により液相の出現を確認する。ここで加熱源のパワーを一定にし、多結晶焼結体又は光加熱源を軸方向に移動させて、単結晶育成を開始する。液相の出現は、CCDカメラのような映像観察装置を用いて多結晶材料の局所加熱部の映像を連続的に撮影し、加熱により生じた半溶融部の状態をリアルタイムで観察して局所加熱部の加熱温度及び移動速度を制御する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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