pn接合型太陽電池およびその製造方法

開放特許情報番号
L2009002689
開放特許情報登録日
2009/4/10
最新更新日
2009/6/26

基本情報

出願番号 特願2007-285684
出願日 2007/11/2
出願人 国立大学法人山梨大学
公開番号 特開2009-117431
公開日 2009/5/28
発明の名称 pn接合型太陽電池およびその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、生活・文化
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 太陽発電装置、太陽電池
目的 この発明は、禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ半導体を光吸収層とする変換効率の高い太陽電池、及び、その製造方法を提供する。
効果 この発明の方法によれば、効率の高い太陽電池を得ることが出来る。また、ヘテロ接合であるpn界面に薄いバッファ層を挿入することにより、界面準位の影響を低減して、開放起電力および短絡電流を増加させることができる。
技術概要
禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ半導体材料を太陽電池に応用することが出来れば高い変換効率が得られ、エネルギーの有効利用に適している。しかし、局在準位または中間バンドをもつ半導体材料は、混ぜ合わせることの困難な結晶による混晶が多く、太陽電池として動作可能な結晶を得ることは困難であった。この発明のpn接合型太陽電池は、p型半導体基板上に形成される。p型半導体基板としては、ZnTe、GaAs、GaP、Siなどが使用される。この上に局在準位または中間バンドをもつp型光吸収層をZnTeを母体として、そのTe原子をO原子で5%以下のO組成になるように置換したZnTeO混晶を用いる。母体のZnTeにはMn,Mgなどを含んだものを用いても良い。p型光吸収層の上にこの層よりも禁制帯幅の大きいn型層、例えばZnOを用いて形成する。最後に金属層で両電極部を形成して完成する。また、p型光吸収層とn型層の間に100nm以下のバッファ層を挿入して効率を向上させる構造を用いても良い。バッファ層は、p型光吸収層よりも禁制帯幅の大きい物質、または不純物を添加しない高抵抗層を用いても良い。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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