半導体素子製造方法

開放特許情報番号

L2009002444

開放特許情報登録日

2009/3/27

最新更新日

2013/2/18

基本情報

出願番号	特願2006-550553
出願日	2005/1/5
出願人	国立大学法人佐賀大学
公開番号	WO2006/072976
公開日	2006/7/13
登録番号	特許第5156945号
特許権者	国立大学法人佐賀大学
発明の名称	半導体素子製造方法
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	発光ダイオード等の半導体素子製造に適用する。
目的	基板表面と拡散源との間に特定の薄膜層を形成する半導体素子製造方法を提供する。
効果	不純物の熱拡散によるｐｎ接合を高精度に制御できる半導体素子製造方法が可能になる。
技術概要	例えば、ｐ型の導電型を有する亜鉛Ｚｎ及びテルルＴｅからなる金属化合物半導体（ｐ型ＺｎＴｅ）の基板１の表面に、ｎ型の導電型にするアルミニウムＡｌからなる拡散源３を形成し、この拡散源３を熱拡散によりドーピングするに際し、基板１の表面と拡散源３との間に、拡散源３のアルミニウムＡｌよりＺｎＴｅにおける拡散係数が小さい物質からなる拡散制御層２（例えば、基板１の亜鉛Ｚｎ、テルルＴｅ及び拡散源３のアルミニウムＡｌを酸化させた酸化膜）を形成し、拡散源３の加熱によりアルミニウムＡｌが拡散制御層２の酸化膜を介して基板１へ熱拡散してドーピングを行なうｐｎ接合の半導体素子製造方法にする（図）。拡散制御層２は、酸化膜だけでなく窒化膜でもよく、その薄膜の膜厚は０．１ｎｍ〜１００ｎｍにするのが好ましい。尚、ドーピングは、拡散制御層２、拡散源３が積層された基板１を拡散炉にセットし、水素雰囲気中、温度３８０℃に５時間維持する加熱条件で行なわれる。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立大学法人佐賀大学

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】