半導体素子製造方法

開放特許情報番号
L2009002444
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2013/2/18

基本情報

出願番号 特願2006-550553
出願日 2005/1/5
出願人 国立大学法人佐賀大学
公開番号 WO2006/072976
公開日 2006/7/13
登録番号 特許第5156945号
特許権者 国立大学法人佐賀大学
発明の名称 半導体素子製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 発光ダイオード等の半導体素子製造に適用する。
目的 基板表面と拡散源との間に特定の薄膜層を形成する半導体素子製造方法を提供する。
効果 不純物の熱拡散によるpn接合を高精度に制御できる半導体素子製造方法が可能になる。
技術概要
例えば、p型の導電型を有する亜鉛Zn及びテルルTeからなる金属化合物半導体(p型ZnTe)の基板1の表面に、n型の導電型にするアルミニウムAlからなる拡散源3を形成し、この拡散源3を熱拡散によりドーピングするに際し、基板1の表面と拡散源3との間に、拡散源3のアルミニウムAlよりZnTeにおける拡散係数が小さい物質からなる拡散制御層2(例えば、基板1の亜鉛Zn、テルルTe及び拡散源3のアルミニウムAlを酸化させた酸化膜)を形成し、拡散源3の加熱によりアルミニウムAlが拡散制御層2の酸化膜を介して基板1へ熱拡散してドーピングを行なうpn接合の半導体素子製造方法にする(図)。拡散制御層2は、酸化膜だけでなく窒化膜でもよく、その薄膜の膜厚は0.1nm〜100nmにするのが好ましい。尚、ドーピングは、拡散制御層2、拡散源3が積層された基板1を拡散炉にセットし、水素雰囲気中、温度380℃に5時間維持する加熱条件で行なわれる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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