| 出願番号 |
特願2006-222455 |
| 出願日 |
2006/8/17 |
| 出願人 |
国立大学法人佐賀大学 |
| 公開番号 |
特開2008-047731 |
| 公開日 |
2008/2/28 |
| 登録番号 |
特許第4992080号 |
| 特許権者 |
国立大学法人佐賀大学 |
| 発明の名称 |
半導体の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
発光ダイオード、レーザダイオード等の光電変換機能素子作製に有用な半導体の製造に適用する。 |
| 目的 |
特定の処理工程を備える半導体の製造方法を提供する。 |
| 効果 |
キャリア濃度及びフォトルミネッセンス強度（発光強度）の高められた半導体を、容易に製造することが可能になる。 |
技術概要
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（Ａ）基板上にｐ型又はｎ型のテルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）を成膜する成膜処理工程と、（Ｂ）ＺｎＴｅを成膜した基板を、このＺｎＴｅと反応しない気体の雰囲気中においてアニールする熱処理工程と、を備える半導体の製造方法にする。例えば、工程Ａにおいて、Ｚｎの原料ガスであるジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）と、Ｔｅの原料ガスであるジエチルテルル（ＤＥＴｅ）と、ｐ型ドーパントである燐（Ｐ）を構成元素として含むドーピングガスとを導入したチャンバー内で、有機金属気相成長法等を用いて、基板１ａであるＺｎＴｅ単結晶基板上にｐ型ＺｎＴｅ薄膜１ｂを成長させた被処理基板１が得られ、また、工程Ｂにおいて、ＺｎＴｅと反応しないヘリウム、アルゴン等の希ガス、窒素などの不活性ガスを処理室３に導入して、好ましくは、ＺｎＴｅ薄膜の表面にアルミニウムを成膜した被処理基板１を、被処理基板１の成膜温度以下（例えば５００℃以下）の温度に保持して熱処理を行うことにより、基板上に成膜したＺｎＴｅ薄膜が基板から表面に向かって正孔濃度又は電子濃度が減少する複数の層から構成された半導体が得られる（図）。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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