n型ZnTe半導体の製造方法

開放特許情報番号
L2009002413
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2009/3/27

基本情報

出願番号 特願平10-125557
出願日 1998/5/8
出願人 佐賀大学長
公開番号 特開平11-330098
公開日 1999/11/30
登録番号 特許第2942827号
特許権者 国立大学法人佐賀大学
発明の名称 n型ZnTe半導体の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、発光素子、受光素子、太陽電池、及び光導波路素子等として広い分野で利用される。
目的 低抵抗率のn型ZnTe半導体を再現性よく製造できる方法、及び低抵抗率のn型ZnTe半導体とのオーミックコンタクトが良好な電極材料を提供する。
効果 低抵抗率のn型ZnTe半導体を再現性よく得ることができるとともに、このn型ZnTe半導体に対して優れたオーミックコンタクト性を示す電極を得ることができる。
技術概要
有機金属気相成長法によって、Zn原料ガス、Te原料ガス、及びAlドーピングガスを反応させて、基板2上にn型ZnTe半導体を製造する方法において、原料ガス中に占めるZnとTeとのモル比が、Te/Zn≧1.1となるように原料ガスを供給することにより、n型ZnTe半導体を製造する。尚、原料ガス中に占めるZnとTeとのモル比が、10≧Te/Zn≧1.1となるように原料ガスを供給し、反応の際の基板2の温度が、200〜400℃である。更に、n型ZnTe半導体に、W電極又はHgを含んでなるIn合金電極を形成した後、還元性雰囲気中でアニーリング処理を行うことにより、n型ZnTe半導体素子を製造し、また、n型ZnTe半導体素子と、p型ZnTe半導体素子とがPN接合してなる、発光素子を製作する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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