結晶表面における周期微細構造の形成方法

開放特許情報番号
L2009002412
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2009/4/24

基本情報

出願番号 特願平09-265201
出願日 1997/8/28
出願人 佐賀大学長
公開番号 特開平11-079879
公開日 1999/3/23
登録番号 特許第3200625号
特許権者 国立大学法人佐賀大学
発明の名称 結晶表面における周期微細構造の形成方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、電子デバイス、光デバイス等の分野で広く利用される。
目的 安価に、しかも規則的に微細ドットを形成することができる結晶表面における周期微細構造の形成方法を提供する。
効果 溶融液からの成長方法を化合物半導体などに導入すれば、MBEやCVDを用いなくても、遙かに低いコストで半導体の表面に微細ドット構造を形成することができる。
技術概要
金属るつぼ1内に装入したKOH溶融液中に、Ba(OH)↓2とBi↓2O↓3の粉末を投入すると共にBi棒を挿入し、金属るつぼを陰極、一方金属るつぼ内のKOH溶融液中に挿入した電極3を陽極として直流電圧を印加することによって(BaK)BiO↓3の単結晶を製造するに際し、溶融液中のBa濃度を7.4wt%より高くすると共に陽極電圧を0.7Vよりも低くして、陽極近傍におけるK↑+、Ba↑2↑+濃度とBiO↓3↑3↑−濃度について、K↑+、Ba↑2↑+濃度の方がBiO↓3↑3↑−濃度よりも高い非平衡状態とすることにより、単結晶の成長過程において(BaK)BiO↓3単結晶の表面にBaOの微細ドットを規則的パターンで析出させることにより、結晶表面における周期微細構造を形成する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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