新規不斉ニッケル触媒の製造方法とこれらを用いる光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノ酸誘導体の製造方法

開放特許情報番号
L2009002351
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2011/3/18

基本情報

出願番号 特願2006-055350
出願日 2006/3/1
出願人 国立大学法人 千葉大学
公開番号 特開2007-230914
公開日 2007/9/13
登録番号 特許第4677562号
特許権者 国立大学法人 千葉大学
発明の名称 新規不斉ニッケル触媒の製造方法とこれらを用いる光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノ酸誘導体の製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造、環境・リサイクル対策、安全・福祉対策
適用製品 医・農薬の中間体、生理活性物質、ファインケミカル、化合物
目的 光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を選択的に製造する方法としては優れているものであるものの、しかし錯体として利用する中心金属は地球上での埋蔵量の少ない高価な貴金属(ルテニウム、ロジウム、イリジウム)であるため、安価な卑金属からなる錯体を用いた光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を製造する方法の提供。
効果 安価な卑金属からなる錯体を、通常の反応条件で用いることができるので、より製造コストの優れたアンチ体の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体が選択的に得られる。
技術概要
この技術は、アミノ基が無置換であるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下、ニッケル−光学活性リン配位子−テトラアリールボレートまたはニッケル−光学活性リン配位子−テトラアルコキシアルミニウムからなる錯体を作用させることにより,水素加圧下、室温から50℃の条件にて、アンチ体の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体が選択的に得られることを見出したことに基づく。すなわち、式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下、触媒的不斉水素化反応により水素化する、式(2)又は式(3)で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法とする。触媒的不斉水素化反応に使用される触媒が、光学活性ホスフィン配位子とテトラアリールボレートからなる周期表第VIII族の遷移金属錯体であるとよい。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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