新規不斉イリジウム触媒の製造方法とこれらを用いる光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノ酸誘導体の製造方法

開放特許情報番号
L2009002342
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2010/12/17

基本情報

出願番号 特願2005-356961
出願日 2005/12/9
出願人 国立大学法人 千葉大学
公開番号 特開2007-161609
公開日 2007/6/28
登録番号 特許第4621918号
特許権者 国立大学法人 千葉大学
発明の名称 新規不斉イリジウム触媒の製造方法とこれらを用いる光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノ酸誘導体の製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造、安全・福祉対策
適用製品 医・農薬、生理活性物質、ファインケミカル、中間体
目的 光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を選択的に製造する方法としては優れているものがあるものの、しかし高圧水素条件や加温が必要であることに鑑み、より緩和な条件下での光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を製造する方法の提供。
効果 特定のα−アミノアシル酢酸エステル化合物の触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒及び酸の存在下、水素で還元することにより、光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を製造することができる。得られる光学活性β‐ヒドロキシ‐α‐アミノカルボン酸誘導体は、医薬、農業等の中間体として有用である。
技術概要
この技術は、アミノ基が無置換であるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下、イリジウム−光学活性リン配位子−テトラアリールボレートまたはイリジウム−光学活性リン配位子−テトラアルコキシアルミニウムからなる錯体を作用させることにより,低圧水素圧下室温にてアンチ体の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体が選択的に得られることを見出したことに基づく。すなわち、式(1)で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下、触媒的不斉水素化反応により水素化する、式(2)又は式(3)で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造方法である。触媒的不斉水素化反応に使用される触媒が、光学活性ホスフィン配位子とテトラアリールボレートからなる周期表第VIII族の遷移金属錯体であるとよい。テトラアリールボレートのかわりにテトラアルコキシアルミニウムを用いる周期表第VIII族の遷移金属錯体であってもよい。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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