| 出願番号 |
特願2005-178650 |
| 出願日 |
2005/6/17 |
| 出願人 |
国立大学法人 千葉大学 |
| 公開番号 |
特開2006-351974 |
| 公開日 |
2006/12/28 |
| 登録番号 |
特許第4491610号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 千葉大学 |
| 発明の名称 |
半導体機能素子 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
発光ダイオード、レーザダイオード、太陽電池、光電変換機能素子、近赤外域・光通信波長域 |
| 目的 |
ＩｎＮ結晶及びＩｎＮを主成分とした混晶をｐ型クラッド層として用いることは、より高品質な光電変換機能素子を実現する上で未だ改良の余地を有することに鑑み、ＩｎＮ結晶及びＩｎＮを主成分とする混晶を含む活性層を備え、より高性能な光電変換機能素子の提供。 |
| 効果 |
ＧａＮ結晶又はＧａＮを主成分とした混晶をｐ型クラッド層として用い、このｐ型クラッド層をまず下地層として先に形成することにより、それぞれの最適温度で成長することができるようになり、欠陥や成長中断の活性層に与える影響を低減し活性層領域の高品質化が可能となり、近赤外域・光通信波長域に応用可能な高性能な光電変換機能素子を提供することができる。 |
技術概要
 |
この技術は、従来のｎ型のクラッド層、ＩｎＮ活性層、ｐ型のクラッド層の順に形成される積層構造を、ｐ型のＧａＮクラッド層、ＩｎＮ活性層、ｎ型のＩｎＮを主成分とする混晶を含むクラッド層の順に積層させることで、高性能な光電変換機能素子を提供できることに基づく。即ち、光電変換機能素子は、ｐ型のＧａＮクラッド層、ＩｎＮ活性層、ｎ型のＩｎＮを主成分とする混晶を含むクラッド層の順に積層されてなる。「ｐ型のＧａＮクラッド層」とは、ＧａＮ結晶、ＧａＮを主成分とする混晶の少なくとも一方を含み、これに更にＭｇ、Ｂｅの様なＩＩ族元素がドーピングされｐ型を示すクラッド層をいい、「ＩｎＮ活性層」とは、ＩｎＮ結晶、ＩｎＮを主成分とした混晶の少なくとも一方を含んでなる層をいう。なお「ＧａＮを主成分とした混晶」とは、Ｉｎ、Ａｌ等のＩＩＩ族元素の少なくとも一つを含む三元又は四元の窒化物混晶であって、かつ、Ｇａ組成が５０ａｔ％（単に「％」という。）以上であるものをいい、「ＩｎＮを主成分とした混晶」とは、Ｉｎ、Ａｌ等のＩＩＩ族元素の少なくとも一つを含む三元又は四元の窒化物混晶であり、かつ、Ｉｎ組成が５０％以上であるものをいう。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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