ホイスラー合金とそれを用いたTMR素子又はGMR素子

開放特許情報番号
L2009002273
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2006-346855
出願日 2006/12/25
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2008-156703
公開日 2008/7/10
登録番号 特許第4953064号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 ホイスラー合金とそれを用いたTMR素子又はGMR素子
技術分野 金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 磁気ランダムアクセスメモリ、ハードディスクの再生ヘッド
目的 Co↓2FeSiよりなるホイスラー合金について、高いL2↓1規則度を実現するとともに、この規則度が完全でなくとも高いスピン分極率を有するホイスラー合金の提供。
効果 本技術によれば、従来に比べスピン分極率を1割以上大きくすることができる。又、FeをCrで合金化することにより、一般に耐酸化性、耐腐食性が向上することはしられているので、上記規則状態が低い状態でも高い分極率がえられるだけでなく、トンネルバリアー製造プロセスにおいてホイスラー合金層の酸化を防ぐ効果もある。
技術概要
この技術では、第4元素としてCrを添加することにより、L2↓1規則度が比較的低い状態であっても高いスピン分極率を示すCo基ホイスラー合金を見いだした。即ち、ホイスラー合金は、式Co↓2Cr↓xFe↓(1−x)Si合金(0<x£0.25)を満たすようにCrを添加した。又、ホイスラー合金において、式Co↓2Cr↓xFe↓(1−x)Al↓ySi↓(1−y)(0<x£0.25,0<y£1)を満たすようにAlをさらに添加した。なお、ホイスラー合金は、薄膜状にしてある。ここで、2%Crを添加したとき、L2↓1規則度は0.67、B2規則度は0.96と高い値を示した。さらにCr濃度を増加させると、L2↓1規則度は0.66、B2規則度は0.77まで単調に減少する。Cr濃度が0.3以上ではホイスラー合金以外の析出物のピークが観測されるようになる。Nelson−Riley関数を用いて求めた格子定数は0.564nmである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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