イオンビーム発生方法とそれを実施する為のイオンビーム発生装置

開放特許情報番号
L2009002272
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2006-321053
出願日 2006/11/29
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2008-135309
公開日 2008/6/12
登録番号 特許第5051634号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 イオンビーム発生方法とそれを実施する為のイオンビーム発生装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ヘリウムイオンビームを用いて表面・界面の原子配列を解析する装置
目的 ヘリウムイオンビームを用いて表面・界面の原子配列を解析する装置におけるイオンビーム発生方法とそれを実施する為のイオンビーム発生装置の提供。
効果 本技術によれば、高周波電力等の放電条件の調整や外部磁場の印可などを行わずに、ヘリウムプラズマから大電力のヘリウムイオンビームを導き出すことができたので、イオンビームの大電流化により利用分野が制約される問題を解消することができる。
技術概要
この技術では、光ファイバーレーザーの波長1083nm出力光を、光ファイバー経由で光ファイバー増幅器に入力した。この入力光を、光ファイバー増幅器で増強し、光ファイバーコネクタから空間に放出した。この放出光を、光ファイバーレーザー内に設置された偏光器を用いて、直線偏光とした。光ファイバーコネクタ(15)から空間に放出された光を、1/2波長板を用いて偏光方向を調整し、次いで1/4波長板を用いて円偏光とした。この円偏光を、レンズを用いて整形した上で、放電管中に発生したヘリウムプラズマへ照射し、プラズマ中に存在する準安定ヘリウム原子を光ポンピングした。また、この円偏光の照射方向を、コイルで作られる磁場と平行となるように調整した。磁場の大きさは、直流電源を調整することで、放電管付近で1ガウス程度となるようにした。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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