炭化ケイ素ナノ構造物とその製造方法

開放特許情報番号
L2009002258
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2006-283224
出願日 2006/10/18
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2008-100863
公開日 2008/5/1
登録番号 特許第5120797号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 炭化ケイ素ナノ構造物とその製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 炭化ケイ素ナノワイヤー、電界電子放出体
目的 形態が複合化した炭化ケイ素ナノ構造物並びにその製造方法の提供。
効果 本技術によれば、炭化ケイ素ナノワイヤーの側面から直角にエピタキシャル成長した炭化ケイ素からなる板状結晶を有する炭化ケイ素ナノ構造物が初めて実現される。また、炭化ケイ素ナノ構造物を簡易なプロセスで容易に製造することが出来る。
技術概要
この技術で用いた加熱装置は、カーボン繊維の断熱材で覆われたグラファイト誘導加熱円筒管を内側に有する石英管製の縦型高周波誘導加熱炉で、その上部と下部にガス導入口がり、下部にガス排出口が付いている。ここで、一酸化ケイ素粉末(純度99.9%)1.0g、グラファイト粉末(純度99%)0.15gおよび酸化ガリウム粉末(純度99.99%)0.05gの混合物をグラファイトるつぼに入れ、このるつぼを縦型高周波誘導加熱炉の中に取り付けた。加熱炉内をおよそ0.2Torrの減圧にした後、上部のガス導入口から150sccmの流量のアルゴンガスを流し、下部のガス導入口から200sccmの流量のアルゴンガスを流しながら、るつぼの内容物を1350℃に1時間加熱した。その後、加熱炉を室温に冷却し、グラファイトるつぼの中に堆積した明緑色の粉末0.132gを採取した。得られた明緑色粉末のX線回折のパターンから、格子定数a=4.361Åを有する立方晶系のβ−炭化ケイ素であることが分かった。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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