窒化インジウム(InN)あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム(InGaN)エピタキシャル薄膜の形成方法

開放特許情報番号
L2009002241
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2006-230308
出願日 2006/8/28
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2008-053589
公開日 2008/3/6
登録番号 特許第4873705号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 窒化インジウム(InN)あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム(InGaN)エピタキシャル薄膜の形成方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 窒化物半導体材料、発光ダイオード(LED)、レーザダイオード、電界効果トランジスタ
目的 表面の平坦性や結晶構造の完全性に優れ、かつ光学特性の良好なInNエピタキシャル薄膜を得るのに有用で簡便な成長方法の提供。
効果 本技術によれば、GaNバッファ層上に1−2ML相当の金属In層を堆積し、その後InNのエピタキシャル薄膜を成長すると、InN成長層の表面平坦性が数原子層レベルの凹凸まで改善することができる。
技術概要
この技術では、InN薄膜をGaNバッファ層上にエピタキシャル成長するに先立ち、GaNバッファ層表面上に窒素のプラズマソースの供給がない状態で約1分子層−2分子層(ML)の厚さのIn金属を供給する。これによって、InNエピタキシャル成長層の表面モルフォロジが原子層オーダーで平坦になり、加えてX線により調べた回折強度の増大と半値幅の減少が実現される。また、フォトルミネッセンス(PL)強度が増大して結晶性の改善も起こる。具体的には、InNあるいは高In組成のInGaN層の成長に先立ちGaNバッファ層上に1−2ML程度のIn金属層を堆積する。又、GaNバッファ層の極性がN極性((000−1)面、−c面)である。なお、成長技術として窒素原子の供給手段としてN2ガスから発生するプラズマを用い、GaとInの供給手段としてルツボ内でInあるいはGa金属元素を高温加熱して生成される原子ビームを利用する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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