半導体製造装置

開放特許情報番号
L2009002231
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2006-215694
出願日 2006/8/8
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2008-042002
公開日 2008/2/21
登録番号 特許第5071703号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 半導体製造装置
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 窒化物系薄膜結晶、光デバイス、電子デバイス
目的 窒化物半導体のエピ膜中に取り込まれる不純物の発生源となる原因を排除することができる反応管及びこれを用いた気相成長装置の提供。
効果 サファイアは1800℃を越える高温でも安定に使用できる。また、研磨を施せば石英と同じく透明になるので、反応管内を観察する目的にも支障はない。アンモニアとの反応性も低いので、サファイアを従来高温でアンモニアとの反応性が高いと考えられる反応管の一部分に適用することでSiやOの遊離量が激減する。
技術概要
本技術の小型反応管は、外径35mmφのサファイアチューブを用いている。このような小型のチューブ形状であれば、サファイアのインゴットからチューブ形状を削りだして用いることが出来る。まず、基板をH↓2キャリアガス中で1050℃で10分間加熱クリーニングしたあと、成長温度を600℃に下げて安定化させGaNの低温バッファ層を20nm成長する。引き続き、約10分かけて成長温度を1000−1080℃まで上昇させ、V/III比を約7,000の条件下でGaNを約1.5μmの厚さ成長させた。全く同一の成長条件下で、反応管材質が石英の場合とサファイアの場合で成長サンプルを作製し、フォトルミネッセンスでGaNエピ膜中に含まれる不純物を比較した。石英反応管で成長したサンプルでは、360−370nm付近のGaNのバンド端からの発光に加えて、550−560nm付近にyellowルミネッセンスが見える。一方、サファイア反応管で成長したサンプルのyellowルミネッセンスの強度は非常に弱く、バンド端からの発光が支配的であることがわかった。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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