素子基板とその製造方法

開放特許情報番号
L2009002229
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2006-210096
出願日 2006/8/1
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2008-041709
公開日 2008/2/21
登録番号 特許第4919401号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 素子基板とその製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 窒化物半導体成長用基板、単結晶育成装置
目的 窒化物半導体素子基板とその製造方法の提供。
効果 本技術によれば、光デバイスや高効率な電子制御デバイスとして今後さらなる応用が期待されている遷移金属二ホウ化物のホウ素面に窒化物半導体膜を有する素子基板を実現することができた。
技術概要
 
この技術の素子基板は、遷移金属二ホウ化物のホウ素面にアルミニウム含有膜を介して窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させて形成されてなる。即ち、CrB↓2粉にアモルファスホウ素粉を添加、混合した原料粉をラバープレスにて棒状に固め、これを真空中又は不活性ガス中で千数百℃に加熱し、原料焼結棒を作製した。この焼結棒から高周波加熱浮遊帯域法によりCrB↓2単結晶棒を育成した。即ち、原料焼結棒を高周波コイルによって加熱溶融し融帯を形成し、これを徐々に移動させることにより結晶を成長させる。育成に要した加熱エネルギーは同じ方法、同じ装置で同サイズのZrB↓2結晶を育成する場合の1/3であり、大型結晶の育成が容易であることを確認した。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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