光ナノスイッチ

開放特許情報番号
L2009002221
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2006-174111
出願日 2006/6/23
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2008-000857
公開日 2008/1/10
登録番号 特許第4925037号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 光ナノスイッチ
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 一方の電極に電子・イオン混合伝導体を用いた光制御型のナノスイッチ
目的 スイッチの切換を電流制御によらないナノスイッチ、具体的には、光誘導による新規なナノスイッチの提供。
効果 本技術によれば、光によってオンオフを制御できるナノスイッチを構成することが出来る。従って、これまでの電気信号による制御とは異なり、信号系路とは異なるラインによって、オンオフを制御できるので、極めて制御性の高いナノスイッチを提供することが出来る。また、光照射によってプログラミングするフィールドプログラマブルデバイスにおけるスイッチング素子として利用できる。
技術概要
この技術では、導波路に注入された光は、導波路の先端部において近接場光を生成する。導波路の先端の開口部を光の半波長よりも小さくすることで、近接場光を生成し、近接場光のみを電子・イオン混合伝導体電極中を透過させることができる。この近接場光は、電子・イオン混合伝導体電極内において金属イオンを励起し、その還元反応を誘起する。還元された金属原子は、電子・イオン混合伝導体電極表面上に析出する。光を注入し続けると、ついには、還元された金属原子によって、電子・イオン混合伝導体電極と金属電極との間に架橋が形成される。すなわち、スイッチがオン状態となる。ここで、金属原子の析出による電子・イオン混合伝導体電極中の金属イオン濃度の低下は殆ど無視出来る。このため、金属原子による架橋は安定に存在する。この意味で、本技術によるスイッチは、本質的には非可逆スイッチである。ただし、電子・イオン混合伝導体の設定量を少なくすることによって可逆スイッチとすることが可能である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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