IV族半導体ナノ細線の製造方法並びに構造制御方法

開放特許情報番号
L2009002217
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2009/3/27

基本情報

出願番号 特願2006-153359
出願日 2006/6/1
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2007-319988
公開日 2007/12/13
発明の名称 IV族半導体ナノ細線の製造方法並びに構造制御方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 将来の半導体電子・光素子
目的 半導体ナノ細線の生成方法の1つである気相−液相−固相(Vapor−Liquid−Solid:VLS)成長法および酸化濃縮法を利用したナノメートル(nm)スケールでサイズ制御するIV族半導体ナノ細線の製造方法とその構造制御方法の提供。
効果 本技術によれば、将来の半導体電子・光素子としての応用が期待されているIV族半導体ナノ細線の構造制御方法として利用できる。また、ナノ細線を用いた半導体電子・光素子を提供することができる。
技術概要
この技術では、基板上にSiとGeを溶融する触媒金属元素から成るナノサイズの触媒金属微粒子を担持し、この触媒金属微粒子が液体微粒子となる温度において、この触媒金属微粒子の周囲の空間からSi原料ガスとGe原料ガスの混合原料ガスを供給して基板上にSiとGeの混晶からなるナノ細線を成長し、このナノ細線のSiを完全に熱酸化することにより、SiO↓2膜で被覆されたGeナノ細線を作製する。この方法によれば、SiとGeの混晶からなるナノ細線の表面に、均一な膜厚のSiO2膜が形成されると共に、このSiO↓2膜以外のナノ細線部分にGeが濃縮されてGe結晶が形成されて、SiO↓2膜で被覆されたGeナノ細線が形成できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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