| 出願番号 |
特願2006-153359 |
| 出願日 |
2006/6/1 |
| 出願人 |
独立行政法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2007-319988 |
| 公開日 |
2007/12/13 |
| 発明の名称 |
ＩＶ族半導体ナノ細線の製造方法並びに構造制御方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
将来の半導体電子・光素子 |
| 目的 |
半導体ナノ細線の生成方法の１つである気相−液相−固相（Ｖａｐｏｒ−Ｌｉｑｕｉｄ−Ｓｏｌｉｄ：ＶＬＳ）成長法および酸化濃縮法を利用したナノメートル（ｎｍ）スケールでサイズ制御するＩＶ族半導体ナノ細線の製造方法とその構造制御方法の提供。 |
| 効果 |
本技術によれば、将来の半導体電子・光素子としての応用が期待されているＩＶ族半導体ナノ細線の構造制御方法として利用できる。また、ナノ細線を用いた半導体電子・光素子を提供することができる。 |
技術概要
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この技術では、基板上にＳｉとＧｅを溶融する触媒金属元素から成るナノサイズの触媒金属微粒子を担持し、この触媒金属微粒子が液体微粒子となる温度において、この触媒金属微粒子の周囲の空間からＳｉ原料ガスとＧｅ原料ガスの混合原料ガスを供給して基板上にＳｉとＧｅの混晶からなるナノ細線を成長し、このナノ細線のＳｉを完全に熱酸化することにより、ＳｉＯ↓２膜で被覆されたＧｅナノ細線を作製する。この方法によれば、ＳｉとＧｅの混晶からなるナノ細線の表面に、均一な膜厚のＳｉＯ２膜が形成されると共に、このＳｉＯ↓２膜以外のナノ細線部分にＧｅが濃縮されてＧｅ結晶が形成されて、ＳｉＯ↓２膜で被覆されたＧｅナノ細線が形成できる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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