微小な規則的パターンの配列の乱れ検出測定方法

開放特許情報番号
L2009002215
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2006-144786
出願日 2006/5/25
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2007-315877
公開日 2007/12/6
登録番号 特許第5152615号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 微小な規則的パターンの配列の乱れ検出測定方法
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 フォトニック結晶、ピクセルアレー
目的 規則的な配列パターンのピッチがより微細化するフォトニック結晶やピクセルアレーなどの材料やディバイスなどにおける配列の乱れをより簡便に、正確に、短い時間で、所望の範囲にわたって検出、測定することができる、微小な規則的パターンの配列の乱れを検出測定する方法の提供。
効果 本技術によれば、ピッチがより微細化するフォトニック結晶やピクセルアレーなどの材料やディバイスあるいは構造体における配列の乱れをより簡便に、正確に、短い時間で、所望の範囲にわたって検出、測定することが可能となる。
技術概要
本技術の微小な規則的パターンの配列の乱れ検出測定方法は、微小な規則的パターンを有する被検出対象物上に、エネルギー線を所定の走査パターンで照射し、エネルギー線を照射したときに生ずる二次電子発生量、反射粒子量、二次イオン発生量あるいはX線量の違いによりモアレ縞を形成させて、そのモアレ縞に基づいて被検出対象物が有する規則的パターンの変形の様子を一度に所定範囲で観察し、局部的な配列の乱れを検出または測定する。ここで、検出、測定対象となるのは、微小な規則的パターンを有する被検出対象物である。この被検出対象物とは、微小な規則的パターンを有する金属合金、半導体、誘電体等の各種材料、これら材料を用いた各種ディバイス、あるいは各種構造物等であることができる。具体的には、材料としては、フォトニック結晶が例示されるが、もちろんこれに限定されない。また、ディバイスとしては、ピクセルアレーが例示されるが、もちろんこれに限定されない。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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