固体素子構造とそれを使用した電気・電子素子及び電気・電子機器

開放特許情報番号
L2009002201
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2015/10/6

基本情報

出願番号 特願2007-071067
出願日 2007/3/19
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2007-288171
公開日 2007/11/1
登録番号 特許第5205670号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 固体素子構造とそれを使用した電気・電子素子及び電気・電子機器
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 スイッチング素子、メモリー素子
目的 フラーレン分子ナノ構造の電気・電子特性を自在に制御するデバイス構造の提供。
効果 本技術によれば、フラーレン分子によるナノ構造の固体素子として、電気・電子特性を自在に制御可能としたナノデバイス構造が実現される。スイッチング素子、メモリー素子等として有用なものとなる。
技術概要
フラーレン分子の1種もしくは2種以上のものをもって構成される本技術のフラーレン分子層では、電極間への電圧の印加状態によって導電性が制御可能とされている。すなわち、電圧印加の状態によって、隣接するフラーレン分子間に形成される化学結合を誘起することによってフラーレン固体の電気伝導特性が絶縁性から導電性へと変換される。本技術のフラーレン分子デバイス構造によれば、フラーレン分子層を積層型固体デバイスの中に組み込み、フラーレン分子層が導電性である場合をon状態、絶縁性である場合をoff状態と呼ぶ場合、たとえば実際に製作した分子デバイスにおいて、on−off比が10↑4から10↑6の良好な特性を得ている。また、on−offの繰り返し動作(スイッチング動作)においては、40MHzでの動作が可能であることも確認している。フラーレン分子デバイスでは、エネルギー的に安定な二つの状態(on状態とoff状態)を外部から印加する電圧・電流信号によって選択するため、on状態(あるいはoff状態)の保持性が高く、不揮発性の高いスイッチング素子やメモリー素子として利用することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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