強誘電体薄膜

開放特許情報番号
L2009002194
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2009/3/27

基本情報

出願番号 特願2008-029848
出願日 2008/2/12
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2008-214180
公開日 2008/9/18
発明の名称 強誘電体薄膜
技術分野 電気・電子、情報・通信、無機材料
機能 材料・素材の製造、加熱・冷却
適用製品 強誘電体薄膜
目的 強誘電体メソ結晶が基板表面に規則正しく配向した構造の薄膜を提供する。
効果 強誘電体メソ結晶が基板表面に規則正しく配向した構造の薄膜が得られ、その結果、密度が高く、低電圧で作動し、書き込み後に元の状態に復元しない、ドットの一体化がし難い構造材料が得られる。また材料が比較的簡単な方法により、安定して得られる。
技術概要
各種基板上へスピンコーティグにより原料溶液を塗布し、大気中で熱処理して、規則的に配列されたナノサイズの細孔からなる珪酸塩メソ多孔体薄膜を作製する。さらに、強誘電体前駆体溶液を合成し、この溶液に珪酸塩メソ多孔体薄膜の形成された基板をつけ込み、1日静置し、取り出した後、空気中で焼成することにより珪酸塩ナノ多孔質薄膜の細孔内に強誘電体メソ結晶が充填された強誘電体担持薄膜が作製される。強誘電体結晶は、BaTiO↓3、Bi↓4Ti↓3O↓12、LiTaO↓3またはLiNbO↓3のメソ結晶である。また、スピンコーティングにより原料溶液を塗布する条件としては、1段目は2000回転、10秒、2段目は4000回転、30秒とする。これにより、強誘電体メソ結晶が基板表面に規則正しく配向した構造の薄膜が生成するという効果が得られる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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