走査型プローブ顕微鏡における走査方法及び強磁場走査型プローブ顕微鏡装置

開放特許情報番号
L2009002175
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2015/10/6

基本情報

出願番号 特願2007-139594
出願日 2007/5/25
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2008-292373
公開日 2008/12/4
登録番号 特許第5045902号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 走査型プローブ顕微鏡における走査方法及び強磁場走査型プローブ顕微鏡装置
技術分野 電気・電子、金属材料、その他
機能 検査・検出、その他
適用製品 強磁場走査型プローブ顕微鏡
目的 プローブが試料の磁気構造を乱すことなく、強磁場下にて試料の磁気的測定をより正確にうことができる走査型プローブ顕微鏡における走査方法及び強磁場走査型プローブ顕微鏡装置提供することを目的とする。
効果 プローブが試料の磁気構造を乱すことなく、強磁場下における試料の磁気的な性質をより正確に測定できるようになる。 そして、ハードディスク装置に代表される磁気記録装置の更なる高密度化に向けて、基礎的な研究技術を提供し、これにより、高性能な磁気記録装置の開発が促進されることが期待される。
技術概要
この技術は、走査型プローブ顕微鏡を用い、プローブを走査して強磁場下で試料の磁気的測定を行うためのプローブの走査方法である。 零磁場下で試料の形状像の測定を行い、試料の形状像のデータを記憶し、試料の磁気的測定の走査の範囲外に特定の領域を設定する。その領域に対してプローブを走査して強磁場下で形状像の測定を行う。得られた形状像と零磁場下で得た形状像とを比較し、プローブの位置の補正をしつつ、且つ、零磁場下での測定で得た形状像のデータをもとに、強磁場下でプローブを試料表面から一定の距離に保つように制御して走査する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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