ドープド・ペロブスカイト・マンガナイト単結晶を用いた巨大異方性磁気抵抗素子

開放特許情報番号
L2009002171
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2009/3/27

基本情報

出願番号 特願2007-114962
出願日 2007/4/25
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2008-270677
公開日 2008/11/6
発明の名称 ドープド・ペロブスカイト・マンガナイト単結晶を用いた巨大異方性磁気抵抗素子
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、検査・検出
適用製品 巨大異方性磁気抵抗素子
目的 ドープド・ペロブスカイト・マンガナイト単結晶をもつ巨大異方性磁気抵抗素子を提供する。
効果 ドープド・ペロブスカイト・マンガナイト単結晶をもつ巨大異方性磁気抵抗素子が得られ、基礎研究や磁気センサーのような実用の分野でもこの材料の活躍が期待できる。本発明では、磁界0.2(tesla)、温度220Kで90%以上のAMRが達成され、これは従来の強磁性物質における値よりも2桁高い。この技術は磁気センサーの感度を大きく改善する。磁気センサーとしては、マグネトメーター、方向検出センサー、磁気ヘッドが挙げられる。
技術概要
ドープド・ペロブスカイト・マンガナイト単結晶の組成式は、A↓1↓−↓xB↓xMnO↓3 (ここでAはLa、Nd又はPrであり、BはCa、Sr、Ba又はPbであり、xは0.2〜0.5の範囲内である)で表わされる。異方性磁気抵抗(AMR)素子をつくる場合には、この単結晶から小片を切り出して素子とする。具体的には、La↓1↓−↓xCa↓xMnO↓3、La↓1↓−↓xSr↓xMnO↓3、La↓1↓−↓xPb↓xMnO↓3、Pr↓1↓−↓xPb↓xMnO↓3である。また、xは0.25〜0.4の範囲内が好ましい。これにより室温付近で大きな異方性磁気抵抗効果が得られるという効果が期待できる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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