希土類六ホウ化物ナノワイヤ熱イオン電子エミッタ

開放特許情報番号
L2009002167
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2015/10/6

基本情報

出願番号 特願2007-104372
出願日 2007/4/12
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2008-262794
公開日 2008/10/30
登録番号 特許第5131735号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 面エミッタの製造方法、点エミッタの製造方法及び構造体
技術分野 電気・電子、金属材料、その他
機能 材料・素材の製造、その他
適用製品 陰極線管、真空管、X線管、マイクロ波管
目的 この発明は、希土類六ホウ化物ナノワイヤを電子放出ユニットとして用いることで高放出電流密度熱イオンエミッタを提供する。
効果 この発明の方法によれば、ReB6ナノワイヤ薄膜の構造により有効表面積は、堆積される薄膜領域の面積の10000倍を越える。放出温度まで加熱した後の有効電子放出領域はナノワイヤの上面だけでなくその側面を含むため、有効放出面積が増大する。ReB6ナノワイヤ薄膜は、ヒータ本体上に直接堆積することができ、より高い機械安定性が得られ、高い熱効率も達成することが出来る。
技術概要
熱イオン電子放出源は、TV陰極線管、電子顕微鏡、真空管、X線管、マイクロ波管、核加速装置等に用いられている。熱電子放出源としてはReB↓6があるが、高密度ナノワイヤを形成することが望まれていた。この発明の熱イオン電子放出材料は、図に示される様な装置を用い、LaCl↓3無水ビーズ3g石英ボートに入れ、石英炉管中央域に設置される。Si、グラファイト、WまたはMoの基板を石英ボートへのガス流の下流に設置する。Siを除く全ての基板をまず最初にSi層、次にPt層でコーティングし、Si基板はPt層のみでコーティングした。炉を0.001torrまで排気し、続いてガス圧を水素雰囲気で0.1atmに維持し、誘導石英管を通してLaB↓6塩付近にBCl↓3ガスを導入する前に炉を1200℃加熱し、その後5分間この温度維持する。この材料をエミッタ構造とするため、タングステン(W)フィラメントにLaB↓6ワイヤ薄膜を堆積する。これらのLaB↓6ワイヤ薄膜は、進行波管や透過型電子顕微鏡に使用される。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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