酸化亜鉛薄膜の形成方法

開放特許情報番号
L2009002162
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2015/10/6

基本情報

出願番号 特願2007-080250
出願日 2007/3/26
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2008-244011
公開日 2008/10/9
登録番号 特許第4873726号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 酸化亜鉛薄膜の形成方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 LED素子
目的 この発明は、表面が平坦なエピタキシャルなZnO薄膜をMOCVDにより成長させることのできる製造方法を提供する。
効果 この発明の方法によれば、従来方法では生じ易かった柱状成長を抑制し、表面が平坦なエピタキシャルなZnO薄膜をMOCVDにより成長させることができる。この薄膜によってZnO−LED材料としての実用性を大きく前進させることが出来る。
技術概要
この発明は、酸化亜鉛は3.3eVのバンドギャップと60meVのエキシトンの結合エネルギーを持つため、室温で効率的な紫外線発生デバイス(LED)材料として有望視されている。しかし、これをMOCVDによる薄膜成長で製造しようとすると柱状成長が起こりやすく、表面が平坦なものが得られ難かった。この発明では、真空チャンバー内に、光透過性の窓の内面と基板保持部とを筒状体で直線状空間に配列し、この直線状空間を通って、外部のレーザー源からレーザー光が直接基板の背面に照射され、基板が加熱されるような真空プロセス装置を用いる。基板上には例えば3mmの高さのガス流通空間を介して基板表面を覆うフローチャンネルを配置する。このフローチャンネルを通じて、原料となるジエチル亜鉛、とキャリヤー水素ガスと酸素、さらにその上層の水素ガスの各々が導入され、基板直前の領域で混ざる様になっている。基板の温度条件は、図で示される様な温度変調とジエチル亜鉛の間欠供給のタイムチャートによって行われる。生成されたZnOの薄膜表面は、図の走査型電子顕微鏡像の様に表面がきわめて平坦化されていることが観察される。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT