極微小ダイオード

開放特許情報番号
L2009002158
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2015/10/6

基本情報

出願番号 特願2007-059015
出願日 2007/3/8
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2008-226918
公開日 2008/9/25
登録番号 特許第5268043号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 極微小ダイオード及びその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 半導体装置、共鳴トンネルダイオード、発光ダイオード
目的 この発明は、導電性基板上に二重障壁構造を持つサブミクロンサイズ以下の半導体素子が島状に配置された極微小ダイオードを提供する。
効果 この発明の方法によれば、極微細の複雑なパターニングや正確な位置合わせを行うことなく、サブミクロンサイズ以下の極微小ダイオードを非常に簡便に、任意の位置に一つまたは複数作成することが出来る。この方法は、Inなどの金属液滴をマスクにしたメサ構造形成技術と電子誘起蒸着法によるナノメートル幅の配線作成技術を融合したので、ナノ配線を成長表面に直接コンタクトをとり、上方に伸ばすことで、下側電極層との絶縁を可能にした点が特徴である。そのため任意の位置のメサに配線を施すことが出来る。
技術概要
この発明は、基板上への微細構造(メサ構造)の作成については、いくつかの方法がある。しかし、このような微小なダイオードの電気的コンタクトをとるには、絶縁部分を通して上部電極と接続する技術が必要で、電子線リソグラフィーによるメサプロセスで配線の正確な位置合わせが必要となっていた。 この発明の極微小ダイオードは、第1ステップで、Siドープ基板、下側電極層(SiドープGaAs基板)、障壁層(AlAs)、量子井戸(GaAs)、障壁層(AlAs)、上側電極層(SiドープGaAs)、金属(In)液滴を形成する。 第2ステップでは、金属(In)液滴をマスクとしてメサ形成のエッチングをする。 第3ステップで金属(In)液滴を除去する。 第4ステップでメサ基板上に数十ナノメートル幅の配線層を形成する。 第5ステップで、上側電極と下側電極を分離する絶縁層(ポリイミド)を形成する。 第6ステップで、素子配置に合わせて、絶縁膜上の配線部だけをエッチングする。 第7ステップは、上側電極(金)を蒸着して素子形成を完了する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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