磁性半導体とその製造方法

開放特許情報番号
L2009002155
開放特許情報登録日
2009/3/27
最新更新日
2015/10/6

基本情報

出願番号 特願2007-046400
出願日 2007/2/27
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2008-207996
公開日 2008/9/11
登録番号 特許第5218953号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 磁性半導体とその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 磁気センサー、磁気光学メモリー、高密度
目的 この発明は、磁性元素が含まれたナノ結晶を有する薄膜が基板上に形成された磁性半導体とその製造方法を提供する。
効果 この発明の方法によれば、結晶成長条件の調節により磁性元素を高濃度に含む強磁性のナノ結晶のサイズ、形状、磁性元素の濃度及び配列を自在に制御した結晶を作成することが出来る。その結果、磁化特性を制御することが出来、円偏光を変調する光学素子を警醒できる。また形成された強磁性ナノ結晶の一つ一つを情報の記録に利用する超高密度メモリー、磁気光硬化を利用したフォトニック結晶、磁気センサー等の実現することが可能となる。
技術概要
近年、半導体エレクトロニクスにおいて、電子の電荷だけでなくスピンも利用してより高度な機能を実現することが行われている。スピンエレクトロニクスによると、磁性を有する元素で一部を置換することによって磁性半導体の機能を持たせることが出来る。 この発明の磁性半導体の製造方法の1例から説明する。GaAsで形成された基板上にU−Y族半導体のZnTeに組成の5%のCrとn型ドーパントとしてヨウ素を同時に添加したZn↓0↓.↓9↓5Cr↓0↓.↓0↓5Te:Iの薄膜結晶を分子線エピタキシー装置により結晶成長させて作成したものである。この方法で形成された磁性半導体のドーパントの比率をZn↓0↓.↓9↓5Cr↓0↓.↓0↓5Te:Iの薄膜結晶でCrの組成を5%と一定にした場合の関係から、強磁性転移温度T↓cは、添加したヨウ素濃度の増加につれて上昇し、ヨウ素濃度が2×10↑1↑8cm↑−↑3のときに最高のT↓c=300Kに達し、ヨウ素濃度がさらに増加するとT↓cは減少することとなる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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