| 出願番号 |
特願2006-535767 |
| 出願日 |
2005/9/6 |
| 出願人 |
国立大学法人 鹿児島大学 |
| 公開番号 |
WO2006/028101 |
| 公開日 |
2006/3/16 |
| 登録番号 |
特許第4904499号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 鹿児島大学 |
| 発明の名称 |
スピントロニクス材料及びＴＭＲ素子 |
| 技術分野 |
電気・電子、金属材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
スピントロニクス材料、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子 |
| 目的 |
スピン分極を利用したスピントロニクスという分野が発展している。従来のデバイスの電荷の制御以外にスピンをも制御する新素子開発分野である。完全にスピン分極した電流が得られれば、新しい機能を具えたデバイスが得られ、広い分野で応用が期待できる。これを可能にするハーフメタルが発見され、新たな機能材料として注目されている。期待される典型的な応用例は、ＭＲＡＭで、ＴＭＲ素子を使用た次世代メモリである。しかし、ハーフメタルの性質は原子配列の乱れに弱い、高いスピン分極率が得られにくいという課題がある。この課題の解決を目指す。 |
| 効果 |
原子の乱れに強く、十分に高いスピン分極率が得られるスピントロニクス材料及びそれを用いたＴＭＲ素子を提供できる。このＴＭＲ素子を使用した、磁気によってデータを記録する次世代メモリであるＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）への応用が期待できる。 |
技術概要
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Ｘ↓２（Ｍｎ↓１↓－↓ｙＣｒ↓ｙ）Ｚ（Ｘは、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ及びＲｈからなる群から選択された１種の元素と、これ等の元素を除いた遷移元素のうちから選択された元素とを含む２種類以上の元素の組み合わせであり、Ｚは、ⅢＢ族元素、ⅣＢ族元素及びＶＢ族元素からなる群から選択された少なくとも１種の元素であり、ｙは０以上１以下である）を含有するスピントロニクス材料である。スピントロニクス材料のスピン分極率は実質的に６０％以上であり、従来のＣｏ↓２Ｃｒ↓０↓．↓６Ｆｅ↓０↓．↓４Ａｌと比較して著しく高いスピン分極率が得られるといえる。ＴＭＲ素子は、このスピントロニクス材料（スピン分極率が実質的に６０％以上である）からなる２つの強磁性層と、２つの強磁性層の間に挟みこまれた非磁性層とを有する。図は、Ｃｏ↓２ＭｎＳｉのｕｐ－ｓｐｉｎのＥ（ｋ）曲線（１Ａ）、ｄｏｗｎ－ｓｐｉｎのＥ（ｋ）曲線（１Ｂ）、状態密度曲線（１Ｃ）および、ＴＭＲ素子の構造を示す模式図（２６）である。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
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| 特許権実施許諾 |
【可】
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