半導体装置及びその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2009001888
- 開放特許情報登録日
- 2009/3/14
- 最新更新日
- 2013/3/18
基本情報
| 出願番号 | 特願2006-044370 |
|---|---|
| 出願日 | 2006/2/21 |
| 出願人 | 国立大学法人 鹿児島大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2006/10/5 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人 鹿児島大学 |
| 発明の名称 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子、情報・通信 |
| 機能 | 機械・部品の製造、表面処理 |
| 適用製品 | 半導体装置、集積回路 |
| 目的 | この発明は、高い耐熱性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 |
| 効果 | この発明の方法によれば、ｎ型半導体領域が、ダングリングボンドを電子の供給源として構成されているため、ｎ型不純物を電子の供給源とする従来の半導体装置と比較して、高い耐熱性を得ることが出来る。 |
技術概要) |
従来、トランジスタを構成するｐ型半導体、ｎ型半導体は、主にⅣ族元素にⅢ価イオン、Ⅴ価イオンをドープすることによりトランジスタ及び集積回路が製造されている。しかし、集積回路では、インプラントイオン（注入イオン）の数が少なく、またシリコンウェハ上に機能素子がローカルのノードとして点在するため、インプラントイオンが容易に拡散し、十分な耐熱性及び高集積性を得ることが困難であった。 この発明の半導体装置は、図１Ａに示すように、ホウ素イオンがドーピングされたｐ型のＳｉ基板の表面にｎ型のエミッタ領域及びコレクタ領域を形成する。この領域を形成する前に、ＡｒイオンまたはＨｅイオンを２０ｋＶの加速電圧で２時間程度イオン照射し、Ｓｉ基板の深い位置までダングリングボンドを形成させておく。次に、図１Ｂに示す様に、Ｓｉ基板上にマイカ箔を形成し、マイカ箔のエミッタ領域、ベース領域にコンタクト穴を形成し、そこに炭素電極塗料で電配線を行い、素子を完成させる。 この結果、この発明の半導体装置は、図７に示される様に３００℃の温度でもダイオード特性が消失せず耐熱性の高い素子を得ることが出来る。 |
| イメージ図 | |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
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登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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