炭化珪素単結晶の製造方法

開放特許情報番号
L2009001807
開放特許情報登録日
2009/3/14
最新更新日
2009/3/14

基本情報

出願番号 特願平09-282223
出願日 1997/10/15
出願人 昭和電工株式会社
公開番号 特開平11-116398
公開日 1999/4/27
登録番号 特許第4122548号
特許権者 昭和電工株式会社
発明の名称 炭化珪素単結晶の製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 炭化珪素単結晶
目的 インクルージョン、不純物元素、結晶欠陥の少ない炭化珪素単結晶を得る。
効果 昇華再結晶法で原料の炭化珪素より炭化珪素基板上に単結晶を成長させるに際し、内面を耐熱性金属炭化物で被覆したルツボを用いる事で、安定して結晶欠陥の少ない高品位のSiC単結晶をSiC種基板上に効率良くエピタキシャル成長させることができる。又大型結晶も容易に成長できる。
技術概要
昇華再結晶法で炭化珪素基板上に炭化珪素単結晶を製造する方法において、炭化珪素原料を収容するルツボとして内面が耐熱性金属炭化物で被覆されたルツボを使用する。使用されるルツボは内面が耐熱性金属炭化物で被覆されている。この金属炭化物は、融点又は分解温度が1900℃以上のものが好ましい。具体的には金属炭化物としてTaC、ZrC、NbC、Ta↓2C、TiC、Nb↓2C、MoC、WC、Mo↓2C等から選ばれた材質で、又それら複数の材質を組み合わせて用いる事ができる。ルツボは内面が炭化物で被覆されていればよく、ルツボの基材は炭化物を構成する金属元素や黒鉛であってもよい。金属炭化物の被膜の厚さは、炭化珪素単結晶の製造中に基材の金属や黒鉛等と昇華ガスの反応を防ぐに必要な厚さがあればよく、一般的には10μm以上あればよい。図1にルツボ内の配置の例を概略図で示す。図1において1は内面を炭化タンタルで被覆したTa製ルツボ、2は炭化珪素種結晶、3は原料SiC粉末、4は原料粉末供給管(一部のみ図示)、5は成長単結晶、6は供給原料ガイド板である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 昭和電工株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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