| 出願番号 |
特願2007-501621 |
| 出願日 |
2006/2/2 |
| 出願人 |
国立大学法人 千葉大学 |
| 公開番号 |
WO2006/082897 |
| 公開日 |
2006/8/10 |
| 登録番号 |
特許第4590645号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 千葉大学 |
| 発明の名称 |
光－光スイッチング方法、光－光スイッチング素子およびその製造方法 |
| 技術分野 |
情報・通信 |
| 機能 |
制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
光通信、光情報処理システム等に有用な光－光スイッチングに適用する。 |
| 目的 |
二光子吸収特性を利用する光－光スイッチング方法を提供する。 |
| 効果 |
連続使用しても「パターン効果」が生じにくく、通常の光通信波長域において広波長帯域性を有し、高速応答の光－光スイッチングが可能となる。 |
技術概要
|
二光子吸収特性を有する半導体に、光強度の低い信号光を照射しつつ、光強度の高い制御光を間欠的に照射し、この制御光の照射時には発生した二光子吸収により信号光の通過を遮断し、制御光の非照射時には信号光を通過させる光－光スイッチング方法にする。信号光と前記制御光は、式［ｈｃ／λ↓ｓ↓ｉ↓ｇ↓ｎ↓ａ↓ｌ＋ｈｃ／λ↓ｃ↓ｏ↓ｎ↓ｔ↓ｒ↓ｏ↓ｌ≧ｈｃ／λ↓ｇ↓ａ↓ｐ（ｈはプランク定数；ｃは光の速度；λ↓ｓ↓ｉ↓ｇ↓ｎ↓ａ↓ｌは信号光の波長；λ↓ｃ↓ｏ↓ｎ↓ｔ↓ｒ↓ｏ↓ｌは制御光の波長；λ↓ｇ↓ａ↓ｐは半導体の基礎吸収端の波長］の関係を満たすことが好ましく、また、半導体としては、その基礎吸収端の波長が１７００ｎｍ以下であり、１２００ｎｍ～１７００ｎｍの範囲内で、且つ、基礎吸収端の波長以上で、二光子吸収特性を有する、例えばＩｎＰ、Ｉｎ↓ｘＧａ↓１↓－↓ｘＡｓ（０≦ｘ≦０．８）等のⅠⅠⅠ族元素とⅤ族元素とからなる化合物半導体が用いられる。これにより、材料組成を変化させるで光学物性（波長依存性や二光子吸収特性）の最適化が容易であり、かつ、作製条件の制限がゆるく、光－光スイッチング素子を効率よく簡易に製造することができる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
