有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子

開放特許情報番号
L2009001706
開放特許情報登録日
2009/3/14
最新更新日
2011/12/2

基本情報

出願番号 特願2007-512797
出願日 2006/3/29
出願人 国立大学法人 千葉大学
公開番号 WO2006/106743
公開日 2006/10/12
登録番号 特許第4848522号
特許権者 国立大学法人 千葉大学
発明の名称 有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 有機エレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレイ素子、有機論理素子等に有用な有機薄膜トランジスタに適用する。
目的 特定の薄膜を順次積層して構成される有機薄膜トランジスタを提供する。
効果 オフ特性を向上させ、よりオンオフ比が高く信頼性の高い有機薄膜トランジスタが可能になる。
技術概要
基板1上に、第一の電極(ソース電極)2、トンネル層としての機能を有する電荷注入障壁層(バリア層)3、第一の有機半導体層4、第二の電極(ゲート電極)5、第二の有機半導体層6、第三の電極(ドレイン電極)7を順次積層してなる積層構造を有する有機薄膜トランジスタにする(図)。好ましくは、バリア層3は、1nm以下、より望ましくは0.1〜1nmの厚みで、例えば酸化シリコン、酸化タンタル等の金属酸化物が用いられ、また、ソース電極2は、第一の有機半導体材料のHOMO(Highest Occupied Molecular Orbit)準位よりも小さな仕事関数を満足する金属的な性質の材料、例えばクロム、タンタル、チタン、銅等が用いられ、更にまた、第一の有機半導体層4は、ソース電極2の仕事関数よりも大きなHOMO準位を満足する有機半導体材料、例えばPentacene、α―NPD等が用いられる。尚、ゲート電極5、ドレイン電極7は、ソース電極2と同様の材料から構成され、第二の有機半導体層6は、第一の有機半導体層4と同様の材料が用いられる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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