| 出願番号 |
特願2007-512797 |
| 出願日 |
2006/3/29 |
| 出願人 |
国立大学法人 千葉大学 |
| 公開番号 |
WO2006/106743 |
| 公開日 |
2006/10/12 |
| 登録番号 |
特許第4848522号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 千葉大学 |
| 発明の名称 |
有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ素子、有機論理素子等に有用な有機薄膜トランジスタに適用する。 |
| 目的 |
特定の薄膜を順次積層して構成される有機薄膜トランジスタを提供する。 |
| 効果 |
オフ特性を向上させ、よりオンオフ比が高く信頼性の高い有機薄膜トランジスタが可能になる。 |
技術概要
 |
基板１上に、第一の電極（ソース電極）２、トンネル層としての機能を有する電荷注入障壁層（バリア層）３、第一の有機半導体層４、第二の電極（ゲート電極）５、第二の有機半導体層６、第三の電極（ドレイン電極）７を順次積層してなる積層構造を有する有機薄膜トランジスタにする（図）。好ましくは、バリア層３は、１ｎｍ以下、より望ましくは０．１〜１ｎｍの厚みで、例えば酸化シリコン、酸化タンタル等の金属酸化物が用いられ、また、ソース電極２は、第一の有機半導体材料のＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔ）準位よりも小さな仕事関数を満足する金属的な性質の材料、例えばクロム、タンタル、チタン、銅等が用いられ、更にまた、第一の有機半導体層４は、ソース電極２の仕事関数よりも大きなＨＯＭＯ準位を満足する有機半導体材料、例えばＰｅｎｔａｃｅｎｅ、α―ＮＰＤ等が用いられる。尚、ゲート電極５、ドレイン電極７は、ソース電極２と同様の材料から構成され、第二の有機半導体層６は、第一の有機半導体層４と同様の材料が用いられる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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