電界放出素子、この電界放出素子を備えた電子デバイス、及び、電界放出素子の製造方法

開放特許情報番号
L2009001696
開放特許情報登録日
2009/3/14
最新更新日
2013/3/18

基本情報

出願番号 特願2007-132812
出願日 2007/5/18
出願人 国立大学法人 千葉大学
公開番号 特開2008-288073
公開日 2008/11/27
登録番号 特許第5170620号
特許権者 国立大学法人 千葉大学
発明の名称 電界放出素子、この電界放出素子を備えた電子デバイス、及び、電界放出素子の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 表示素子、撮像素子等の電子デバイスに有用な電界放出素子に適用する。
目的 特定の構成を有する電界放出素子を提供する。
効果 製造コストを低減することができ、しかも、電子デバイスに適用できる十分な電子放出特性を有する電界放出素子が可能になる。
技術概要
基板11と、基板11上に配置され、銀フィラメント13Aからなるエミッタ13と、エミッタ13に対向するように配置されたアノード14と、を備えてなる電界放出素子1にする(図1)。エミッタ13は、ガラス、フレキシブルなポリエチレンテレフタレートフィルム等の基板11上に、臭化銀、塩化銀等のハロゲン化銀及びカーボンブラックを含有するゼラチン等からなる分散媒との乳剤を塗布した後、露光を行なってハロゲン化銀結晶中に潜像核を形成し、次いで、化学現像処理もしくは物理現像処理により、ハロゲン化銀結晶中に形成された潜像核を成長させて、ワイヤ形状の銀フィラメントを形成する工程を経ることにより製造される(図2)。尚、適用される乳剤の調整、潜像核形成条件及び銀フィラメント成長条件の制御により、電界放出特性が揃ったエミッタを容易に形成可能となる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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