半導体光素子

開放特許情報番号
L2009001694
開放特許情報登録日
2009/3/14
最新更新日
2016/6/21

基本情報

出願番号 特願2007-131089
出願日 2007/5/16
出願人 国立大学法人 千葉大学
公開番号 特開2007-335854
公開日 2007/12/27
登録番号 特許第5257967号
特許権者 国立大学法人 千葉大学
発明の名称 半導体光素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 発光ダイオード、半導体レーザダイオード等として有用な半導体光素子に適用する。
目的 特定の半導体から構成される活性層を含む半導体光素子を提供する。
効果 デバイス品質の良好なヘテロ構造を有する新規な半導体光素子が可能になる。
技術概要
例えば、基板1、n型コンタクト層2、n型クラッド層3、n型ガイド層4、活性層5、p型ガイド層6、p型クラッド層7、p型コンタクト層8が順に積層され、更に、n型コンタクト層2上には第一の電極9が、p型コンタクト層8上には第二の電極10が形成されて、第一と第二の電極の間に電圧を印加することで活性層5に正孔及び電子を注入し、発光させる構造(図1)を有してなり、活性層5は、障壁層としてのGaN層51と、井戸層としてのInN層52とを交互に積層して構成(図2)されるInN/GaN多重量子井戸構造となっており、しかもGaN層51とInN層52とが擬似格子整合系を形成している半導体光素子にする。尚、GaN層51は、InN層52よりも厚く、しかもInN層52の数よりも1層多い構成が好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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