有機薄膜トランジスタ及びその製造方法。

開放特許情報番号
L2009001669
開放特許情報登録日
2009/3/14
最新更新日
2013/10/29

基本情報

出願番号 特願2006-213890
出願日 2006/8/4
出願人 国立大学法人 千葉大学
公開番号 特開2008-041914
公開日 2008/2/21
登録番号 特許第5326100号
特許権者 国立大学法人 千葉大学
発明の名称 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法。
技術分野 電気・電子、有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 有機薄膜トランジスタ
目的 より簡便な構成で、より高性能な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、更にはそれを用いた電子機器を提供する。
効果 簡便な構成で、より高性能な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、更にはそれを用いた電子機器を提供することができる。
技術概要
ゲート電極と、ゲート電極を覆い、複数の凹部が形成されるゲート絶縁膜と、複数の凹部に配置されるソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の間の領域に配置され、ソース電極及びドレイン電極に接続される有機半導体層と、ソース電極及び、ドレイン電極、を有する有機薄膜トランジスタである。図に示すように、この有機薄膜トランジスタ1は、基板2と、この基板2上に形成されるゲート電極3と、基板2及びゲート電極3を覆って形成され、凹部41a、bが形成されるゲート絶縁膜4と、ゲート絶縁膜4の凹部41aに形成されるソース電極5と、ゲート絶縁膜4の凹部41bに形成されるドレイン電極6と、ソース電極5、ドレイン電極6及びこれらの間の領域(チャネル領域)を覆って形成される有機半導体層7と、ソース電極5、ドレイン電極6及び有機半導体層7を保護する保護膜8と、を有して形成される。基板2は、例えばシリコン、ガラス、プラスチックフィルムを好適に用いることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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