有機薄膜トランジスタ及びその製造方法。

開放特許情報番号

L2009001669

開放特許情報登録日

2009/3/14

最新更新日

2013/10/29

基本情報

出願番号	特願2006-213890
出願日	2006/8/4
出願人	国立大学法人　千葉大学
公開番号	特開2008-041914
公開日	2008/2/21
登録番号	特許第5326100号
特許権者	国立大学法人　千葉大学
発明の名称	有機薄膜トランジスタ及びその製造方法。
技術分野	電気・電子、有機材料
機能	材料・素材の製造
適用製品	有機薄膜トランジスタ
目的	より簡便な構成で、より高性能な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、更にはそれを用いた電子機器を提供する。
効果	簡便な構成で、より高性能な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、更にはそれを用いた電子機器を提供することができる。
技術概要	ゲート電極と、ゲート電極を覆い、複数の凹部が形成されるゲート絶縁膜と、複数の凹部に配置されるソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の間の領域に配置され、ソース電極及びドレイン電極に接続される有機半導体層と、ソース電極及び、ドレイン電極、を有する有機薄膜トランジスタである。図に示すように、この有機薄膜トランジスタ１は、基板２と、この基板２上に形成されるゲート電極３と、基板２及びゲート電極３を覆って形成され、凹部４１ａ、ｂが形成されるゲート絶縁膜４と、ゲート絶縁膜４の凹部４１ａに形成されるソース電極５と、ゲート絶縁膜４の凹部４１ｂに形成されるドレイン電極６と、ソース電極５、ドレイン電極６及びこれらの間の領域（チャネル領域）を覆って形成される有機半導体層７と、ソース電極５、ドレイン電極６及び有機半導体層７を保護する保護膜８と、を有して形成される。基板２は、例えばシリコン、ガラス、プラスチックフィルムを好適に用いることができる。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立大学法人千葉大学

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】