半導体基板の評価方法

開放特許情報番号
L2009000854
開放特許情報登録日
2009/2/20
最新更新日
2015/10/29

基本情報

出願番号 特願2007-045411
出願日 2007/2/26
出願人 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構
公開番号 特開2008-210947
公開日 2008/9/11
登録番号 特許第5024865号
特許権者 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
発明の名称 半導体基板の評価方法
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 半導体基板の評価方法、太陽電池、フォトルミネッセンス
目的 基板のキャリアの表面再結合を抑制することにより、厚さが薄い半導体基板や表面処理を施していない基板についても評価を行うことのできる、半導体基板の評価方法の提供。
効果 半導体基板をエッチング液に浸漬することにより、基板のキャリアの表面再結合を抑制することが可能となるため、従来のPLイメージング法では正確な測定を行うことが困難であった表面処理を施していない基板や、シリコンインゴットの切断面、厚さ200μm以下の薄型基板でも、高速・高分解能なPL分布評価を行うことが可能となる。
技術概要
この技術では、半導体基板の評価方法は、容器に満たされたエッチング液中に半導体基板を浸漬する工程を含むと共に、エッチング液中に浸漬されている半導体基板に対し、エッチング液を介して光を照射して、半導体基板によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程を含み、放出されたフォトルミネッセンス光を観察する工程を含む。この方法において、エッチング液は、フッ化水素酸、塩酸、リン酸、硫酸、トリフルオロメタンスルホン酸、及びこれらのうち2種又はそれより多数の混合物からなる群から選ばれる酸性エッチング液であるのが好ましい。また、放出されたフォトルミネッセンス光を観察する工程が、半導体基板の結晶構造欠陥の二次元的な分布を観察する工程を含むこととすることもできる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT