マイクロ発振素子および検出素子

開放特許情報番号
L2009000779
開放特許情報登録日
2009/2/20
最新更新日
2015/9/28

基本情報

出願番号 特願2008-280431
出願日 2008/10/30
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-135471
公開日 2009/6/18
登録番号 特許第5278876号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 マイクロ波発振素子および検出素子
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 マイクロ波通信、通信機器
目的 この発明は、磁場を用いて電流狭窄構造を形成したマイクロ波発振素子およびマイクロ波検出素子を用いることにより、高効率化し小型化した素子として提供する。
効果 この発明の方法によれば、マイクロ波発振素子の小型化、発振効率の向上、搬送波対雑音比の向上、マイクロ波伝送回路のインピーダンスをマッチングさせる利点を有している。また、磁場を加えることにより、マイクロ波発振領域の磁気構造を変化させ、発振するマイクロ波の周波数を変化させることができる。
技術概要
この発明のマイクロ発振素子は、電流狭窄構造薄膜を有する磁気抵抗効果を応用した積層構造に形成したものである。 具体的に、基板上に下地層として膜厚5nmのTa膜を形成し、この上に7nmの膜厚のバッファー層となるNiFeCr膜を形成する。この上に反強磁性層として10nmの膜厚のIrMn薄膜を形成し、この上に7nmの膜厚の磁化固着層を形成する。次に複数のAl,O,Fe,Coからなる膜厚2nmの電流狭窄構造部を形成する。この上に電流を狭窄する機能とスピン偏極電流によりマイクロ波を発振させる機能を有する領域の磁化の向きを空間的に非一様にするための層を膜厚2.5nmのCoFe層を形成する。最後にこの上に金属保護層として膜厚1nmのCu層及び膜厚5nmのTa層を積層薄膜として形成し、マイクロ波発振素子を完成する。 作成した多層薄膜を、リソグラフィー法等の微細加工技術を用いてマイクロ波発振素子形状に加工し、多層薄膜の膜面に垂直な方向に電流が流れるように下地層と金属保護層に電極を取り付けることによりマイクロ波発振素子を作成する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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