固体メモリの製造方法

開放特許情報番号
L2009000778
開放特許情報登録日
2009/2/20
最新更新日
2015/9/28

基本情報

出願番号 特願2008-280134
出願日 2008/10/30
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-109177
公開日 2010/5/13
登録番号 特許第4635236号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 固体メモリの製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、記録材料等の分野で広く利用される。
目的 データの記録及び消去に必要な電流値がより低く、より多くの回数データを繰り返し書き換えることができる固体メモリの製造方法を提供する。
効果 データの記録及び消去に必要な電流値がより低く、より多くの回数で繰り返し書き換えることができる固体メモリを製造できる。
技術概要
相変態により電気特性が変化する記録層を備える固体メモリの製造方法であり、固体状態間で相変態を生じる母相を有する膜を2以上積層させて超格子構造を構成させることにより、記録層を形成する記録層形成工程を含み、記録層形成工程を、各母相の結晶化層転移温度の中で最も高い温度以上で行うことにより、固体メモリを製造する。尚、記録層は、Ge、Sb又はTeを主成分としている。また、記録層形成工程を、各母相の融点の中で最も低い温度以下、又は超格子構造を構成する組成を有する化合物の融点以下の温度で行う。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT