固体メモリ

開放特許情報番号
L2009000777
開放特許情報登録日
2009/2/20
最新更新日
2015/9/28

基本情報

出願番号 特願2008-280098
出願日 2008/10/30
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-109175
公開日 2010/5/13
登録番号 特許第4635235号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 固体メモリ
技術分野 電気・電子、金属材料、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、記録材料等の分野で広く利用される。
目的 データの記録及び消去に必要な電流値がより低く、より多くの回数データを繰り返し書き換えることができる固体メモリを提供する。
効果 固体メモリは、データの記録及び消去に必要な電流値がより低く、より多くの回数で繰り返し書き換えることができる。このため、各種固体メモリに好適に適用できる。
技術概要
Teと、Alとを主成分とする、相変態により電気特性が変化する記録層を備える固体メモリであり、記録層は、固体状態間で相変態を生じる母相を有する層を2以上含み、2以上の層は超格子構造を構成している、固体メモリである。尚、記録層では、母相を有する層として、Al原子を含む層と、Sb原子を含む層とが隣接して積層している。また、Al原子を、Al原子を含む層から、Al原子を含む層とSb原子を含む層との界面に向かって異方性拡散させることによってデータを記録又は消去する。また、母相を含む層の厚さを、0.3nm以上2nm以下の範囲内とする。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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