近赤外光を吸収するポリシラン薄膜及びその製造方法

開放特許情報番号
L2009000775
開放特許情報登録日
2009/2/20
最新更新日
2015/9/28

基本情報

出願番号 特願2008-277853
出願日 2008/10/29
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-106101
公開日 2010/5/13
登録番号 特許第5152726号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 近赤外光を吸収するポリシラン薄膜及びその製造方法
技術分野 電気・電子、有機材料、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、太陽電池等の分野で広く利用される。
目的 大掛かりな設備を必要とせずに、様々な近赤外光を吸収するポリシラン薄膜及びその製造方法を提供する。
効果 塗布膜を加熱処理するだけで近赤外光を吸収するポリシラン薄膜を作製でき、さらに、加熱温度の時間を変えることで、近赤外光を吸収するポリシラン膜のバンドギャップを連続的に再現性よく変えることができる。
技術概要
式(1)(R↓1は、縮合多環芳香族基を表し、R↓2は、アリール基又は縮合多環芳香族基のいずれかを表し、R↓3は、アルキル基を表す。また、x及びyは、整数を表す)で表される架橋ポリシラン薄膜が加熱処理され、近赤外光を吸収する薄膜とされている、近赤外吸収性ポリシラン薄膜である。尚、加熱処理の温度及び/又は時間により、バンドギャップが制御されており、また、基板上に式(1)で表される架橋ポリシラン薄膜を形成した後、加熱処理することにより架橋ポリシラン薄膜の吸収スペクトルを変化させて、近赤外光を吸収するポリシラン薄膜とすることにより、近赤外吸収性ポリシラン膜を製造する。更に、加熱処理の温度及び/又は時間を調整することにより、架橋ポリシラン薄膜のバンドギャップを制御する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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