整流素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2009000772
開放特許情報登録日
2009/2/20
最新更新日
2015/9/28

基本情報

出願番号 特願2008-275222
出願日 2008/10/27
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-135461
公開日 2009/6/18
登録番号 特許第5229892号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 整流素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 半導体整流器、電源装置
目的 この発明は、素子の製造後であっても、電気信号を与えることにより整流特性を任意に制御できる整流用ダイオードを提供する。
効果 この発明の方法によれば、整流素子の作りこみ後に、整流特性を繰り返し反転できるばかりではなく、反転電気信号を操作することにより、反転後の電流−電圧特性をある範囲で任意に制御することが出来る。しかも、この発明は、素子を単結晶として形成する必要がなく、75V/180sといった大電力源を、通常のデバイス駆動電源の外に用意する必要もなく、さらには順方向の抵抗値が格段に小さくできるので、実用デバイスへの適用性に優れている。
技術概要
エレクトロニクス用の整流用ダイオードは、一般的にシリコン系やヒ化ガリウム系半導体が用いられており、PN接合を利用して順方向バイアスと逆方向バイアスによって所定の抵抗値が得られるものである。しかし、これらの半導体材料を用いた整流用ダイオードでは、整流の方向を後から変えることが出来ない欠点を有していた。 この発明の整流用ダイオードは、酸化チタン(TiO↓x)を用い、反転電気信号を印加することによって整流特性を反転できるようにしたものである。 具体的には、酸化膜付きのSi基板上にRFスパッタリングなどによってTi層、Pt層を形成した後、ArとO↓2の混合気体中で反応性スパッタリングによって成膜を行い、膜厚40nmのTiO↓xを堆積する。その後、O↓2を含むAr雰囲気中でRF電力を印加して発生したラジカルアシスト中でアニール処理を施し、フォトリソグラフ法によってPt電極を形成し素子を製造する。この整流素子に対して電圧−7V/900msのパルス信号を印加して整流素子を完成させる。この際+のパルス信号を印加することによって反転した特性の整流素子を得ることも出来る。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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