| 出願番号 |
特願2007-554948 |
| 出願日 |
2007/1/18 |
| 出願人 |
国立大学法人静岡大学 |
| 公開番号 |
WO2007/083704 |
| 公開日 |
2007/7/26 |
| 登録番号 |
特許第4649623号 |
| 特許権者 |
国立大学法人静岡大学 |
| 発明の名称 |
固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
その他 |
| 適用製品 |
固体撮像装置 |
| 目的 |
画素面積の増大を防ぎながら入射光量に対する出力信号のダイナミックレンジの拡大率を大きくとることができる固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法を提供する。 |
| 効果 |
画素面積の増大を防ぎながら入射光量に対する出力信号のダイナミックレンジの拡大率を大きくとることができる固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法を提供できる。 |
技術概要
 |
画素面積の増大を防ぎながらダイナミックレンジが大きい固体撮像装置及びその固葉信号の読みだし方法を提供する。光により生成された電荷を蓄積する第１のポテンシャル井戸ＰＷＩと、この第１のポテンシャル井戸ＰＷＩに隣接した電荷分配電位障壁ＣＤＢと、この電荷分配電位障壁ＣＤＢを介して第１のポテンシャル井戸ＰＷ１に対向し、同一強度の光に対し、第１のポテンシャル井戸ＰＷＩに蓄積された電荷よりも少量の電荷を蓄積する第２のポテンシャル井戸ＰＷ２と、第１のポテンシャル井戸ＰＷ１及び第２のポテンシャル井戸ＰＷ２に蓄積された電荷を転送する第１転送ゲート電極３１及び第２転送ゲート電極３２と、第１及び第２転送ゲート電極により転送された電荷をそれぞれ別個に蓄積する第１浮遊拡散領域２６及び第２浮遊拡散領域２７とを備える画素を複数配列する。図１は、固体撮像装置（２次元固体撮像装置）の半導体チップ上のレイアウトを説明する複式的平面図、図２は、固体撮像装置の概略的な断面図（図３のＡ−Ａ方向から見た複式的な断面図）、図３は固体撮像装置の図南の構成を説明する図である。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
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