| 出願番号 |
特願2008-548264 |
| 出願日 |
2007/11/30 |
| 出願人 |
国立大学法人静岡大学 |
| 公開番号 |
WO2008/069141 |
| 公開日 |
2008/6/12 |
| 登録番号 |
特許第5105549号 |
| 特許権者 |
国立大学法人静岡大学 |
| 発明の名称 |
半導体測距素子及び固体撮像装置 |
| 技術分野 |
電気・電子、情報・通信 |
| 機能 |
材料・素材の製造、機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
半導体測距素子及び固体撮像装置 |
| 目的 |
高速電荷転送を行える半導体測距素子を提供し、更にはこの半導体測距素子を画素として複数個配列して低コストで、且つ高い距離分解能と空間解像度を有する固体撮像装置を提供する。 |
| 効果 |
低コスト且つ高い距離分解能が得られ、構造も単純であるため、多数の画素を配置した空間解像度の高い光飛行時間型（ＴＯＦ）型距離画像センサが実現できる。 |
技術概要
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図１は固体撮像装置（２次元イメージセンサ）の半導体チップ上のレイアウトを説明する模式的平面図である。図２は固体撮像装置の画素の一部となる半導体測距素子の構成を説明する概略的な平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ面から見た模式的な断面図である。図４は、信号電荷の転送の様子を説明するポテンシャル図である。第１繰り返し周期において反射光の遅れ時間に依存する信号電荷を、受光用表面埋込領域１１ａから繰り返し転送して第１の電荷蓄積領域１２ａに第１信号電荷として蓄積し、第２繰り返し周期において反射光により発生した信号電荷のすべてを受光用表面埋込領域１１ａから繰り返し転送して第１の電荷蓄積領域１２ａに第２信号電荷として蓄積し、蓄積された第１及び第２信号電荷の総量の比を求めて、対象物までの距離を測定する半導体測距素子である。また、第２の電荷蓄積領域１２ａが受光用表面埋込領域１１ａよりも高不純物密度であるか、又は第２の電荷蓄積領域１２ａが受光用表面埋込領域１１ａよりも深い固体振像装置である。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
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| 特許権実施許諾 |
【可】
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