酸化物超電導バルク体の製造方法および酸化物超電導バルク体

開放特許情報番号
L2009000437
開放特許情報登録日
2009/1/30
最新更新日
2011/8/26

基本情報

出願番号 特願2006-043634
出願日 2006/2/21
出願人 公益財団法人鉄道総合技術研究所
公開番号 特開2007-131510
公開日 2007/5/31
発明の名称 酸化物超電導バルク体の製造方法および酸化物超電導バルク体
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 トップシード溶融凝固法、捕捉磁場特性
目的 トップシード溶融凝固法に基づいて酸化物超電導バルク体を製造する方法及び酸化物超電導バルク体において、数時間〜10数時間程度の短い時間で結晶成長可能とし、捕捉磁場特性の優れた酸化物超電導バルク体を安価かつ容易に製造する技術の提供。
効果 包晶温度よりも低い温度域であって、結晶化開始温度よりも低い温度域において予備的段階降温等温処理を施して結晶化の進行準備を行っておいてから、包晶温度以上の温度に加熱し、その温度域から結晶化開始温度前後において主体的段階降温等温処理を施すことにより、前駆体における結晶化が円滑に進行し、捕捉磁場特性の良好な品質の良好な酸化物超電導バルク体を得ることができる。
技術概要
この技術は、酸化物超電導体製造用の原料を仮焼きして圧密成形し、酸化物超電導体の前駆体を形成するとともに、酸化物超電導体の前駆体を加熱して半溶融状態とした後に冷却し、前駆体上に設置されている種結晶の結晶構造を基に先の半溶融状態の前駆体を結晶化して酸化物超電導バルク体とするトップシード溶融凝固法によって酸化物超電導バルク体を製造する方法であって、前駆体を仮焼き温度よりも高い温度であって酸化物超電導体の包晶温度よりも低い温度に加熱後、包晶温度よりも低く、結晶化温度よりも低い温度域であって、仮焼き温度よりも高い温度域において複数段のステップで徐々に温度降下させるようにしたものである。また各ステップにおいては等温保持する予備的段階降温等温処理を施し、次いで、この処理後の前駆体を包晶温度以上の温度に加熱し、半溶融状態とした後、結晶成長のための処理として複数段のステップで徐々に温度降下させるとともに、各ステップにおいては等温保持する主体的段階降温等温処理を施して前駆体を結晶化させている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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