半導体不揮発記憶装置

開放特許情報番号
L2009000194
開放特許情報登録日
2009/1/9
最新更新日
2010/5/7

基本情報

出願番号 特願2008-243614
出願日 2008/9/24
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-079941
公開日 2010/4/8
発明の名称 半導体不揮発記憶装置
技術分野 情報・通信、電気・電子、その他
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア、その他
適用製品 記憶装置、半導体メモリ、半導体装置
目的 この発明は、複数電圧源を用意することなくFeFET単体へ多値記憶を行うことができる半導体不揮発記憶装置を提供する。
効果 この発明の装置によれば、複数電圧源を用意することなくFeFET単体へ多値記憶を行うことができる半導体不揮発記憶装置が得られる。また、この半導体不揮発記憶装置は、消費電力が少なく、動作電圧の低減でき、微細化を進めてビット密度を高めることも可能である。
技術概要
近年、携帯型情報機器の普及に伴い、素子の高集積化が望まれているが、従来のこれらのトランジスタ型素子ではメモリセルへの書き込み電圧が高く消費電流が多くなるという欠点を有していた。このため、強誘電体ゲートトランジスタ(FeFET)が提案されているが、FeFET担体への多値記憶を行うためには、これまで記複数個の電圧電源を用意する必要があった。 この発明の半導体不揮発記憶装置は、強誘電体に、同一高さで、異なる幅のパルス電圧を印加して、異なる総分極量を与え、その総分極量の違いに応じた異なる記憶状態を作る多値強誘電体メモリセルを有する。 これにより、複数電圧源を用意することなくFeFET単体へ多値記憶を行うことができる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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