導波路の作製方法

開放特許情報番号
L2009000191
開放特許情報登録日
2009/1/9
最新更新日
2015/9/25

基本情報

出願番号 特願2008-242200
出願日 2008/9/22
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-072515
公開日 2010/4/2
登録番号 特許第4984264号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 導波路の作製方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 半導体メサ道波路
目的 導波路の狭メサ化及び側壁円滑化が図れる導波路の作製方法の提供。
効果 本技術によれば、メサ導波路の狭メサ化及び側壁円滑化、さらに側壁への微細加工及びSiO↓2クラッド層へメサ構造の埋め込みがなされるため、強光閉じ込め可能かつ低伝搬損失のメサ導波路や側壁に回折格子を有する導波路が得られる。
技術概要
この技術は、スラブ導波路層を有する第1の基板を用意する工程と、第1の基板の上にシリコン酸化膜を堆積する工程と、その上に所定のパターン開口を有するマスク層を形成する工程と、マスク層をマスクとして開口部のシリコン酸化膜及びこれに隣接するマスク層下のシリコン酸化膜の一部を除去する工程と、マスク層及びスラブ導波路層上に第1の金属及びスラブ導波路層よりエッチング選択性の小さい第2の金属との積層構造を形成する工程と、マスク層及びシリコン酸化膜を除去する工程と、第2の金属をマスクにスラブ導波路層をパターニングしてメサ導波路とする工程と、第1の金属とともに第2の金属をリフトオフする工程とを含む導波路の作製方法であり、スラブ導波路層はII−VI族半導体量子井戸を有する層である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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