シリコン系太陽電池

開放特許情報番号
L2009000188
開放特許情報登録日
2009/1/9
最新更新日
2015/9/25

基本情報

出願番号 特願2008-238013
出願日 2008/9/17
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-073799
公開日 2010/4/2
登録番号 特許第5334164号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 シリコン系太陽電池
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 太陽光発電システム、結晶シリコン太陽電池
目的 近赤外域の光路長が伸び、近赤外域の感度が向上し変換効率が大幅に向上するシリコン系太陽電池の提供。
効果 本技術によれば、太陽電池内に分散された微粒子により近赤外域の光路長が伸び、近赤外域の感度が向上し変換効率が大幅に向上する。
技術概要
本技術の電池構造は、平滑なガラス基板上に銀(Ag)等からなる裏面電極、膜剥がれ防止用GZO薄膜、薄膜微結晶シリコンn−i−p層からなる光電変換層及びITOからなる透明電極から構成され、光吸収層内部に一層の分散した微粒子が配置された構造を有する。光吸収層の厚みは2.0μmである。微粒子は、粒径0.3±0.1μmのシリカである。微粒子の屈折率は、1.4±0.1である。光吸収層の屈折率は、3.6±0.2である。層内微粒子は、ランダムに分散した配列であり、層内微粒子間の間隔は、0.3μmから2.0μmの範囲である。ここで、平滑な基板上に作製した従来型の太陽電池に比べ、波長700nm以上の近赤外域の光電変換特性において56%向上が確認された。又、平滑な基板上に作製した従来型に比べ、短絡電流で18.5%の向上が確認された。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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