半導体デバイスの連続製造方法及びチャンバー

開放特許情報番号
L2009000170
開放特許情報登録日
2009/1/9
最新更新日
2012/9/24

基本情報

出願番号 特願2008-228059
出願日 2008/9/5
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-152539
公開日 2009/7/9
発明の名称 半導体デバイスの連続製造に使用するチャンバー
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造、洗浄・除去
適用製品 薄膜シリコン、プラズマCVD、太陽電池、TFT、チャンバー内の膜やパーティクルを除去すること
目的 NF↓3、CF↓4、SF↓6、C↓2F↓6などの代表的クリーニングガスを用いたチャンバークリーニング直後においてはチャンバー内が不安定な状態となるため、クリーニング直後のバッチでは安定した膜特性が得られないことに鑑み、チャンバークリーニング直後から膜特性が安定し、プリデポなしでも所望のデバイス特性を得ることの実現。
効果 装置を停止することなくF↓2ガスを用いてチャンバークリーニングを行うことにより、半導体デバイスの連続製造に際し、チャンバークリーニング直後から膜特性が安定し、プリデポなしでも所望のデバイス特性が得られる。また、F↓2ガスは地球温暖化係数が0であるため、NF↓3等のクリーニングガスに比べて環境への悪影響が少ない。半導体デバイスの連続製造において、チャンバークリーニングの時間を短くして生産性を上げることができる。
技術概要
この技術は、装置を停止することなくF↓2ガスを用いてチャンバークリーニングを行う。すなわち100バッチに1回又は8バッチに1回のチャンバークリーニングを、装置を停止することなくF↓2ガスを用いてチャンバークリーニングを行うものである。チャンバークリーニング後はそのまま製膜を開始し、生産を続ける。なおF↓2ガスはArガス等で希釈してもよいし、希釈ガスなしの100%F↓2ガスでもよい。この場合には、Arガス等の使用を不要とする利点がある。チャンバークリーニングは内壁に付着した膜がすべて除去されるまで行う。ここで、チャンバー内壁に付着した膜は内壁の場所によって厚さや性質が異なることや、チャンバー内のプラズマの広がり方が均一ではないため、場所によってエッチングレートが異なる。このため、クリーニングの過程では、除去された場所とまだ除去されていない場所とがチャンバー内に混在することになる。したがって、半導体デバイスの連続製造において、チャンバークリーニング時間を短くして生産性を上げるには、チャンバーの角など、反応種が届きにくい領域を無くして反応種を届きやすくすればよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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